電子デバイスに導電用の回路を設けこれに電源を接続してめっきを行う電解めっきは、今後、高密度化への対応が限界を迎えることから、導電回路が不要な無電解めっきの重要性が高まっています。

無電解めっき技術の対象は金だけでなく、パラジウムや銀にもおよびます。めっき皮膜の厚さもバンプ、ワイヤー、半田等の接合方式により、ミクロンからナノまでの多様なものが必要です。

無電解めっき用薬品には、電気めっきの電源の代わりに、化学反応で電子を製造する分子が組み込まれています。この化学電源ともいうべき化合物の分子構造、反応制御が無電解めっきの重要な基礎技術であり、まさにエレクトロニクスとケミストリーとの橋渡し役といえます。

当社は、金・パラジウム・銀を用いた電子機器用の貴金属めっき用薬品に特化し、半導体搭載基板用、プリント基板用など、ハイエンドな電子部品ほど高いシェアを持っています。半導体搭載用基板に使用される無電解金めっき技術として、DIG(銅上置換金めっき)、ENIG(ニッケル上 置換金めっき)用の金めっき用薬品を供給し、いずれも高い酸化防止機能と十分な接続強度を提供してい ます。